程华D10N50SE 贴片MOS管 10A 500V TO-252封装 N沟道场效应管

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概述
D10N50SE结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
D10N50SE漏极电压VDS=500V；漏极电流ID=10A
D10N50SE典型导通电阻RDS(ON)=800mΩ
D10N50SE采用TO-252封装
D10N50SE工作稳定范围在-55℃~150℃
特性
◆ 多外延SJ-FET工艺
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ，降低传导损耗
◆ 超低栅极电荷，实现快速开关
◆ 100%经UIS（单脉冲雪崩能量）和RG（反向栅极）测试
应用
◆​ 开关电源二次侧同步整流
◆​ 不间断电源（UPS）
◆​ 功率因数校正（PFC）

参数