品名:程华CH50N04D 40V 30A TO-252封装 N沟道贴片 MOS管场效应管
品牌:CH(程华)
型号:CH50N04D
封装:TO-252封装
电压:40V
电流:30.00
CH50N04D结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH50N04D漏极电压VDS=40V;漏极电流ID=30A
CH50N04D典型导通电阻RDS(ON)=14mΩ
CH50N04D采用TO-252封装
CH50N04D工作稳定范围在-55℃~175℃
深圳市程华电子有限公司
深圳市龙岗区吉华街道三联社区中百饰大楼6-6002
电话:0755-85229192
Email: chenghuadz@163.com

详情

友情提示:深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅,其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务,产品型号丰富多样。为节省您的时间,建议产品选型前先与客服沟通。此外,部分产品支持免费提供样品,具体详情可向客服咨询。
概述
CH50N04D结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装,实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH50N04D漏极电压VDS=40V;漏极电流ID=30A
CH50N04D典型导通电阻RDS(ON)=14mΩ
CH50N04D采用TO-252封装
CH50N04D工作稳定范围在-55℃~175℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON) ,降低传导损耗
◆ 低栅极电荷,实现快速开关
◆ 封装内集成双芯片
应用
◆ 主板/显卡核心供电
◆ 开关电源二次侧同步整流
◆ 负载点(POL)应用
◆ 无刷直流(BLDC)电机驱动器


参数