程华CH30N06D 30A 60V 低内阻 TO-252封装 N沟道贴片MOS管

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友情提示：深圳市程华电子有限公司主营宽电压DC-DC恒流恒压IC芯片、中低压MOS管、二极管及可控硅，其中MOS管为自有品牌CH。我们为客户提供售前、售中、售后的全流程服务，产品型号丰富多样。为节省您的时间，建议产品选型前先与客服沟通。此外，部分产品支持免费提供样品，具体详情可向客服咨询。
概述
CH30N06D结合先进的N沟道MOSFET技术与低电阻封装，实现极低的导通电阻RDS(ON)。此器件适用于负载开关和电池保护应用。
CH30N06D漏极电压VDS=60V；漏极电流ID=30A
CH30N06D典型导通电阻RDS(ON)Typ=23mΩ（VGS=10V时）
CH30N06D采用TO-252封装
CH30N06D工作稳定范围在-55℃~175℃
特性
◆ 先进的高单元密度沟槽技术
◆ 低导通电阻RDS(ON)​ ，降低传导损耗
◆ 低栅极电荷，实现快速开关
◆ 低热阻
应用
◆ 主板/显卡核心供电
◆​ 开关电源二次侧同步整流
◆​ 负载点（POL）应用
◆​ 无刷直流（BLDC）电机驱动器

参数